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廣州CMP中鈰基拋光粉的制備及應用。

來源：www.cetcheck.com | 發布時間：2022年06月08日

廣州CMP中鈰基拋光粉的制備及應用。

由于對高精度光學透鏡和集成電路化學機械拋光的嚴格要求，越來越多的人關注鈰基拋光粉的制備和應用。為了提高其拋光性能和方法的經濟可行性，采用合適的方法制備了鈰基拋光粉。以大顆粒水合丙酸鈰結晶為前體，通過簡單的煅燒合成納米級氧化鈰。研究了煅燒溫度對合成產物的物理性能的影響。

鈰基拋光粉

結果表明，在丙酸鈰的熱分解過程中，大晶體被解理成條狀，然后斷裂成較小的納米氧化鈰。用激光散射法測得的中位粒徑先減小，再增大，小值為460nm。XRD、SEM和TEM在1000℃時的觀察結果表明，在這個溫度下，煅燒得到一個粒子為20-30nm的立方體螢石氧化鈰；隨著煅燒溫度的升高，它們對冠玻璃(K_9)和燧石玻璃(F_1)的拋光速率顯著增加1000℃。拋光顆粒的濃度與氧化劑的濃度有關。摻硼立方螢石氧化鈰和Ce_(1-x)Ti_o_2復合氧化物可以通過將丙酸鈰晶體與適量的硼酸或硫酸鈦混合而獲得。隨著煅燒溫度或摻雜量的增加，提高了產品的密度或顆粒球形，提高了玻璃的拋光能力。證明在氧化鈰中摻雜B和Ti會導致粒子球形化，提高拋光能力。

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